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Kupfersulfid gilt seit Jahrzehnten als das beste optische und halbleitende Material. Es wurde ein Versuch unternommen, CuS-Dünnfilme durch eine einfache chemische Badabscheidungsmethode herzustellen. Die hergestellten Proben wurden durch XRD, UV und PL charakterisiert, um ihre strukturellen, optischen und elektrischen Eigenschaften zu identifizieren und zu untersuchen. DieErgebnisse der XRD-Analyse bestätigten die Bildung von CuS in der Covellit-Phase. Die optischen Eigenschaften wurden untersucht und das Material weist eine Bandlücke im Bereich von 1,6 eV bis 1,2 eV auf. Die PL- und elektrische Charakterisierung der Probe wurde untersucht und in diesem Buch ausführlich diskutiert.
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OPTISCHE UND ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN VON DICKENABHÄNGIGEM CuS, A. Sahana Fathima, S. Sharmila, V. Senthil Kumar
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