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Die Untersuchung der InAs-Wetting-Schichtentwicklung zeigt, dass bei der Wachstumsregime von InAs auf GaAs(001) drei Wachstumsphasen identifiziert werden. Zunächst agglomeriert Indium in Gruppen von acht Atomen an energetisch günstigen Stellen. Bei einer Abdeckung von etwa 0,67 ML transformiert sich die Oberfläche in eine (4x3) rekonstruierte InGaAs-Monolage. Nach Abschluss dieser Schicht führt die akkumulierende Spannung zu einem Übergang von 2D- zu 3D-Wachstum, wodurch charakteristische dreidimensionale Inseln, die als Quantenpunkte bekannt sind, entstehen.
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On the evolution of InAs thin films grown on the GaAs(001) surface, Jan Grabowski
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