Konzipierung eines alternativen Designs für einen Hochvolt-Operationsverstärker: Die Eignung von Galliumnitrid-basierten Transistoren für den Aufbau eines Hochleistungs-Operationsverstärkers

Die Eignung von Galliumnitrid-basierten Transistoren für den Aufbau eines Hochleistungs-Operationsverstärkers

Auteurs

• Roland Krebs

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• 120 pages
• 5 heures de lecture

• Technologie / Ingénierie

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Die Studie präsentiert eine neuartige Schaltung, die die Konstruktion von Hochvolt-Operationsverstärkern erleichtert und kostengünstig gestaltet. Dabei werden sowohl Silizium-basierte als auch Galliumnitrid-Bauteile für die Endstufe verwendet. Diese Innovation zielt darauf ab, die Herausforderungen zu überwinden, die mit herkömmlichen hybriden Operationsverstärkern verbunden sind, insbesondere hinsichtlich Hochfrequenzverhalten, Ausgangsspannung und Ausgangsstrom.

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• Année de publication: 2013
• Reliure: (souple)