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Grundlagen der Festkörper- und Dichtefunktionalitheorie Die Bor-Dotierung der Si(001)-Oberfläche Wismut-bedeckte InAs- und InP (110)-Oberflächen Ebene Wellen als endliche Basis Atompositionen bei der B: Si(001)-Oberfläche Die Struktur der Wismut-bedeckten InAs(110)-Oberfläche
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Adsorbat-bedeckte Halbleiteroberflächen am Beispiel von B:Si(001) sowie Bi:InP(110) und Bi:InAs(110), Alexander Dvořák
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- 2002
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