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Die Gruppe-III-Nitride gehören derzeit zu den vielversprechendsten Halbleitern für die Herstellung optoelektronischer Bauelemente. Besonders Galliumnitrid (GaN) hat in den letzten Jahren die Aufmerksamkeit auf sich gelenkt, da sich auf GaN-Basis blaue bzw. UV-Laserdioden herstellen lassen. Neben den mikroskopischen Eigenschaften der Wachstumsoberflächen werden die atomare und elektronische Struktur sowie die Reaktivität polarer GaN-Oberflächen beschrieben, die von zentraler Bedeutung für das Wachstum von Halbleiterstrukturen sind. Erstmals werden neuartige Effekte über die kinetischen Eigenschaften dieser Oberflächen aufgezeigt, die bislang für keinen anderen III-V-Halbleiter gefunden wurden.
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Thermodynamische und kinetische Eigenschaften von Galliumnitrid-Oberflächen, Tosja K. Zywietz
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- 2000
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